- A memória WeeBit ReRAM cabe em chips sem alterar as estruturas de transistor existentes
- Cada célula ReRAM armazena dados usando comutação resistiva, não métodos flash tradicionais
- ReRAM pode lidar com entre 100.000 e 1 milhão de ciclos de gravação
A decisão da Texas Instruments de licenciar ReRAM incorporado do Weebit Nano reacendeu as alegações de que a memória flash atingiu limites estruturais.
O acordo segue acordos anteriores com SkyWater, DB HiTek e Onsemi, marcando uma escalada constante de parceiros de fabricação, em vez de um endosso abrupto.
CEO DA WEABIT, COBY HANOCH, TODD Tudo sobre circuitos que a progressão foi deliberada, com cada etapa aumentando a escala do processo e a credibilidade da indústria.
Escolhas de arquitetura e atrito de fabricação
“Subimos uma ordem de magnitude a cada vez”, disse ele. “Da SkyWater à DB HiTek, à Onsemi e agora à TI. Agora estamos na liga principal.”
Weebit implementa seu ReRAM como um módulo back-end-of-line, permitindo a integração sem alterar as estruturas dos transistores front-end.
Essa abordagem mantém os custos adicionais de wafer próximos a 5%, em comparação com despesas gerais muito mais altas associadas a processos flash incorporados.
A própria célula de memória depende de comutação resistiva em vez de armazenamento de porta flutuante, permitindo acesso em nível de bit sem operações de apagamento de bloco.
Estas decisões de design são enquadradas como pragmáticas e não revolucionárias, contando com materiais padrão e ferramentas de fabricação convencionais.
“Dissemos desde o primeiro dia que usaríamos materiais padrão, ferramentas padrão, fluxos padrão”, disse ele. “Não queríamos dar desculpas fabulosas para não trabalhar conosco.”
Do ponto de vista das especificações, o Weebit relata velocidades de gravação até 100x mais rápidas do que o flash incorporado, juntamente com uma resistência que varia de 100.000 a 1 milhão de ciclos.
A empresa relata que o consumo de energia é menor devido às tensões operacionais reduzidas e aos modos de acesso direto.
Seu CEO afirma sem rodeios que “potência, velocidade, resistência, temperatura e custo, em todos os eixos importantes para a memória incorporada, o ReRAM parece melhor que o flash”.
A empresa também enfatiza a imunidade a interferências eletromagnéticas, contrastando sua tecnologia com a MRAM.
“Temos visto casos em que campos magnéticos corromperam a MRAM em ambientes de consumo”, disse Hanoch, acrescentando que os grandes fabricantes consideram esse risco inaceitável.
À medida que os nós de processo diminuem para menos de 28 nm, o flash incorporado se torna cada vez mais difícil de escalar de forma confiável.
Os projetistas geralmente compensam combinando matrizes lógicas com flash externo e armazenar dados em SRAM na inicialização, aumentando a complexidade e o consumo de energia.
Hanoch argumenta que a ReRAM não volátil elimina essa ineficiência, permitindo inicialização instantânea e limites de segurança mais rígidos.
A maior densidade de ReRAM em comparação com SRAM permite que dispositivos de ponta armazenem mais dados no chip, melhorando diretamente a precisão da computação.
“Mais bits no mesmo silício significam melhor precisão para inferência”, disse ele, ao mesmo tempo que apontou para experimentos neuromórficos demonstrados onde “o bit ReRAM se comporta como uma sinapse”.
Weebit cita previsões da indústria que projetam que a receita da ReRAM crescerá cerca de 45% ao ano, atingindo potencialmente US$ 1,7 bilhão em seis anos.
Mas as suas receitas continuam modestas, embora em crescimento, e a empresa atribui uma aceitação mais lenta à cautela institucional e não a lacunas técnicas.
“A maior barreira é a natureza humana”, disse Hanoch, apesar de apontar o trabalho do silício em vários nós e qualificações de produção em massa.
Ainda não se sabe se o endosso da TI confirma que “ReRAM é o substituto do flash”.
Mesmo assim, a busca por uma memória universal permanece incerta, com alternativas como ULTRARAM, desenvolvido pela Quinas Tecnologiaentrando em campo no ano passado.
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